英伟达计划自研HBM内存Base Die:2027下半年试产以补短板
快科技8月21日消息,据媒体报道,英伟达宣布将自研基于3nm工艺的HBM内存Base Die,预计于2027年下半年进入小规模试产阶段,此举旨在弥补其在HBM领域的技术与生态短板。未来,英伟达的HBM供应链将转向采用“内存原厂DRAM Die + 英伟达自研Base Die”的组合模式,标志着其在高性能计算存储架构中进一步深化垂直整合。HBM已成为打破AI芯片“存储墙”的关键。从A100到Blackwell Ultra系列,HBM在芯片物料成本(BOM)中的占比已超过50%。...