英特尔带来全球最薄氮化镓芯片 硅衬底厚度减至19微米
快科技4月14日消息，英特尔近日公布了最新研究成果：基于12英寸（300mm）氮化镓（GaN）晶圆，成功打造出全球最薄的氮化镓芯片。该公司已将硅衬底厚度缩减至19微米（μm），相当于人类头发直径的五分之一，标志着半导体设计领域的重大飞跃。与此同时，英特尔还实现了业界首个氮化镓功率晶体管与硅基数字逻辑电路的单片集成，将复杂的计算功能直接嵌入功率芯片内部，无需分立辅助芯片，从而简化了架构，并降低了组件之间的能量损失。这一创新的需求源于现代电子行业的一个根本性挑战：在更紧凑的空间中...