中韩HBM内存差距缩至3年！长鑫追平三星、SK海力士
快科技6月4日消息，据韩国媒体报道，中国存储芯片制造商长鑫存储已在HBM3技术上追平三星和SK海力士，中韩两国在HBM领域的差距从此前的多代落后缩至仅3年。行业消息人士透露，长鑫在技术上已具备HBM3量产能力，虽然良率仍是制约因素，但技术层面已不存在代差。HBM3是当前AI GPU广泛采用的第三代高带宽内存，NVIDIA H100即搭载该规格，为符合美国出口管制要求，NVIDIA专为中国市场打造的H20 GPU即配备了96GB HBM3，比H100的80GB还多。报道称，长鑫...